Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6015LPS-13
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13 Diodes Incorporated

DMT6015LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.16W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6015LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.16W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6015LPS-13 за ціною від 21.92 грн до 72.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6015LPS-13 DMT6015LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6015LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.16W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.66 грн
10+47.28 грн
100+32.78 грн
500+25.80 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13 DMT6015LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6015LPS-3214747.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.61 грн
10+55.33 грн
100+33.33 грн
500+26.71 грн
1000+24.50 грн
2500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13 DMT6015LPS-13 Виробник : Diodes Inc dmt6015lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6015LPS.pdf DMT6015LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.