DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13 Diodes Incorporated


DMT6015LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.77 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6015LSS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT6015LSS-13 за ціною від 17.72 грн до 85.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6015LSS-13 DMT6015LSS-13 Виробник : DIODES INC. DMT6015LSS.pdf Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.81 грн
500+25.93 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13 DMT6015LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6015LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 10406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.22 грн
10+46.78 грн
100+31.50 грн
500+22.89 грн
1000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13 DMT6015LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6015LSS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 17470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.31 грн
10+50.85 грн
100+29.78 грн
500+23.52 грн
1000+21.38 грн
2500+18.33 грн
5000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13 DMT6015LSS-13 Виробник : DIODES INC. DMT6015LSS.pdf Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.07 грн
16+53.89 грн
100+35.81 грн
500+25.93 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.