Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6016LFDF-7
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7 Diodes Incorporated

DMT6016LFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.57 грн
6000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6016LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6016LFDF-7 за ціною від 12.37 грн до 61.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6016LFDF-7 DMT6016LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT6016LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 7170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.52 грн
10+36.07 грн
100+23.87 грн
500+17.36 грн
1000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7 DMT6016LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT6016LFDF-3214335.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
на замовлення 48685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.67 грн
10+42.18 грн
100+24.01 грн
500+18.30 грн
1000+16.55 грн
3000+12.59 грн
9000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6016LFDF.pdf DMT6016LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.