Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6016LPS-13
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13 Diodes Incorporated

DMT6016LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.23W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.41 грн
5000+13.54 грн
7500+12.93 грн
12500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6016LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.23W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6016LPS-13 за ціною від 13.69 грн до 57.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6016LPS-13 DMT6016LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011159891_1-2543571.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
на замовлення 10043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.79 грн
10+41.93 грн
100+24.38 грн
500+19.04 грн
1000+17.35 грн
2500+14.79 грн
5000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LPS-13 DMT6016LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6016LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.23W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 40992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.81 грн
10+36.84 грн
100+24.56 грн
500+18.83 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6016LPS.pdf DMT6016LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.