DMT6016LPSW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.84W (Ta), 41.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.94 грн |
| 5000+ | 15.88 грн |
| 7500+ | 15.17 грн |
| 12500+ | 13.49 грн |
| 17500+ | 13.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6016LPSW-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.84W (Ta), 41.67W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6016LPSW-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6016LPSW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V |
товару немає в наявності |