Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6016LSS-13
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated

DMT6016LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.97 грн
5000+13.28 грн
7500+13.06 грн
12500+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6016LSS-13 за ціною від 12.89 грн до 50.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Inc 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6016LSS.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
на замовлення 7122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.32 грн
12+31.03 грн
100+23.65 грн
500+18.19 грн
1000+16.45 грн
2500+13.72 грн
5000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6016LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 18688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.02 грн
10+37.35 грн
100+24.41 грн
500+17.58 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6016LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6016LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.