DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.03 грн |
| 5000+ | 12.40 грн |
| 7500+ | 11.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6016LSS-13 за ціною від 14.81 грн до 58.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMT6016LSS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMT6016LSS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMT6016LSS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V |
на замовлення 7599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMT6016LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 18.42 грн |
| DMT6016LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 18.42 грн |
| DMT6016LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.82 грн |
| DMT6016LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 7599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.76 грн |
| 10+ | 35.14 грн |
| 100+ | 22.80 грн |
| 500+ | 16.42 грн |
| 1000+ | 14.81 грн |
| DMT6016LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




