Продукція > DIODES ZETEX > DMT6016LSS-13
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13 Diodes Zetex

193dmt6016lss.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6016LSS-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6016LSS-13 за ціною від 18.93 грн до 98.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Diodes Zetex 193dmt6016lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated DMT6016LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.83 грн
10+54.66 грн
25+45.90 грн
50+37.94 грн
100+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated DMT6016LSS.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+98.74 грн
10+51.48 грн
100+32.44 грн
500+25.46 грн
1000+22.42 грн
2500+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated DMT6016LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 193dmt6016lss.pdf
DMT6016LSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS.pdf
DMT6016LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.83 грн
10+54.66 грн
25+45.90 грн
50+37.94 грн
100+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS.pdf
DMT6016LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.74 грн
10+51.48 грн
100+32.44 грн
500+25.46 грн
1000+22.42 грн
2500+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS.pdf
DMT6016LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1634 шт
В кошику  од. на суму  грн.