Продукція > DIODES INC > DMT6016LSS-13
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13 Diodes Inc

193dmt6016lss.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6016LSS-13 Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6016LSS-13 за ціною від 11.21 грн до 63.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6016LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.97 грн
5000+12.86 грн
7500+12.52 грн
12500+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6016LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 15547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.31 грн
10+35.77 грн
100+24.07 грн
500+17.52 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 DMT6016LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIODS21824_1-2541839.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.29 грн
10+43.36 грн
100+24.23 грн
500+18.52 грн
1000+16.69 грн
2500+13.11 грн
10000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6016LSS.pdf DMT6016LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.