на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6016LSS-13 Diodes Inc
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6016LSS-13 за ціною від 13.12 грн до 65.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6016LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6016LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6016LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6016LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6016LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A |
на замовлення 6875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6016LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V |
на замовлення 8506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6016LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMT6016LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |