DMT6017LFDF-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 11.72 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6017LFDF-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6017LFDF-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6017LFDF-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 10K |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DMT6017LFDF-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 6.5A; Idm: 50A; 1.76W Drain current: 6.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 65V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.76W Gate charge: 15.3nC Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT6017LFDF-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 10K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMT6017LFDF-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 6.5A; Idm: 50A; 1.76W
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.76W
Gate charge: 15.3nC
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 6.5A; Idm: 50A; 1.76W
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.76W
Gate charge: 15.3nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.