DMT6017LFDF-7 Diodes Incorporated


DMT6017LFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
на замовлення 2656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.59 грн
10+32.61 грн
100+21.05 грн
500+15.08 грн
1000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6017LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMT6017LFDF-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6017LFDF-7 DMT6017LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6017LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-7 DMT6017LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6017LFDF.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-7 DMT6017LFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-7 DMT6017LFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.