DMT6017LFV-7 Diodes Incorporated


DMT6017LFV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+14.85 грн
4000+13.10 грн
6000+12.48 грн
10000+11.06 грн
14000+10.68 грн
20000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6017LFV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6017LFV-7 за ціною від 15.23 грн до 60.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT6017LFV-7 DMT6017LFV-7 Diodes Incorporated DMT6017LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 80504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.44 грн
10+36.12 грн
100+23.43 грн
500+16.88 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7 DMT6017LFV-7 Diodes Incorporated DMT6017LFV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7 DMT6017LFV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 80504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.44 грн
10+36.12 грн
100+23.43 грн
500+16.88 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7 DMT6017LFV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.