DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13 Diodes Incorporated


DMT6017LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.92 грн
5000+16.15 грн
7500+15.74 грн
12500+14.30 грн
17500+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6017LSS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT6017LSS-13 за ціною від 15.45 грн до 66.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6017LSS-13 DMT6017LSS-13 Виробник : Diodes Inc 1691dmt6017lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13 DMT6017LSS-13 Виробник : DIODES INC. DMT6017LSS.pdf Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.04 грн
500+21.76 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13 DMT6017LSS-13 Виробник : DIODES INC. DMT6017LSS.pdf Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.70 грн
19+44.73 грн
100+30.04 грн
500+21.76 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13 DMT6017LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6017LSS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.71 грн
10+45.69 грн
100+26.63 грн
500+20.82 грн
1000+18.91 грн
2500+16.41 грн
5000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13 DMT6017LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6017LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 41159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.85 грн
10+42.53 грн
100+28.48 грн
500+20.95 грн
1000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6017LSS.pdf DMT6017LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.