Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6018LDR-13
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13 Diodes Incorporated

DMT6018LDR.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 36743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.45 грн
10+53.96 грн
100+32.59 грн
500+28.58 грн
1000+24.33 грн
2500+23.95 грн
5000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6018LDR-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.9W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3030-8.

Інші пропозиції DMT6018LDR-13 за ціною від 21.45 грн до 67.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6018LDR-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6018LDR.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6018LDR.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
на замовлення 17596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.23 грн
10+49.82 грн
100+34.59 грн
500+27.93 грн
1000+25.14 грн
2000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6018LDR.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 50A; 1.2W
Mounting: SMD
Case: V-DFN3030-8
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 9.1A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.9nC
On-state resistance: 26mΩ
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6018LDR.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 50A; 1.2W
Mounting: SMD
Case: V-DFN3030-8
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 9.1A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.9nC
On-state resistance: 26mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.