DMT6018LDR-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.69 грн |
| 500+ | 33.09 грн |
| 1000+ | 28.71 грн |
| 5000+ | 26.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6018LDR-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: V-DFN3030, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT6018LDR-13 за ціною від 21.57 грн до 76.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6018LDR-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 36743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6018LDR-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3030-8 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3030-8 |
на замовлення 17596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 50A; 1.2W Mounting: SMD Case: V-DFN3030-8 Power dissipation: 1.2W Drain current: 9.1A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 13.9nC On-state resistance: 26mΩ |
товару немає в наявності |