DMT61M8SPS-13

DMT61M8SPS-13 DIODES INC.


3168549.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT61M8SPS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT61M8SPS-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT61M8SPS-13 DMT61M8SPS-13 Виробник : DIODES INC. 3168549.pdf Description: DIODES INC. - DMT61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.