Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT64M2LPSW-13
DMT64M2LPSW-13

DMT64M2LPSW-13 Diodes Incorporated

DMT64M2LPSW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2799 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT64M2LPSW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2799 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT64M2LPSW-13 за ціною від 27.32 грн до 109.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT64M2LPSW-13 DMT64M2LPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT64M2LPSW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2799 pF @ 30 V
на замовлення 7412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.26 грн
10+62.26 грн
100+43.64 грн
500+32.28 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT64M2LPSW-13 DMT64M2LPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT64M2LPSW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.21 грн
10+68.03 грн
100+41.43 грн
500+33.30 грн
1000+30.39 грн
2500+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.