Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT64M3SK3-13
DMT64M3SK3-13

DMT64M3SK3-13 Diodes Incorporated

DMT64M3SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6019 pF @ 30 V
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.16 грн
5000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT64M3SK3-13 Diodes Incorporated

Description: IC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6019 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT64M3SK3-13 за ціною від 36.52 грн до 130.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT64M3SK3-13 DMT64M3SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT64M3SK3.pdf Description: IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6019 pF @ 30 V
на замовлення 289900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.31 грн
10+79.77 грн
100+53.66 грн
500+39.82 грн
1000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT64M3SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT64M3SK3.pdf MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.