DMT64M8LSS-13 DIODES INC.


3204164.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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Технічний опис DMT64M8LSS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 2.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 2.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm.

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DMT64M8LSS-13 DMT64M8LSS-13 DIODES INC. 3204164.pdf Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT64M8LSS-13 3204164.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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