DMT67M8LPSW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.59 грн |
| 5000+ | 21.50 грн |
| 7500+ | 21.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT67M8LPSW-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMT67M8LPSW-13 за ціною від 20.32 грн до 82.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT67M8LPSW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT67M8LPSW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 82A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 747249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT67M8LPSW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K |
на замовлення 2159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|