Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT67M8LPSW-13
DMT67M8LPSW-13

DMT67M8LPSW-13 Diodes Incorporated

DMT67M8LPSW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V
на замовлення 145000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.03 грн
5000+23.87 грн
12500+22.77 грн
25000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT67M8LPSW-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 0.0044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT67M8LPSW-13 за ціною від 23.32 грн до 69.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 0.0044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.86 грн
500+29.73 грн
1000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT67M8LPSW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V
на замовлення 147455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.87 грн
10+49.58 грн
100+38.56 грн
500+30.67 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 0.0044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.19 грн
16+54.22 грн
100+39.86 грн
500+29.73 грн
1000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009150503_1-2543108.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.44 грн
10+55.84 грн
100+37.74 грн
500+32.00 грн
1000+26.04 грн
2500+24.50 грн
5000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT67M8LPSW.pdf DMT67M8LPSW-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.