
DMT67M8LSS-13 Diodes Incorporated
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 78.61 грн |
10+ | 53.23 грн |
100+ | 43.06 грн |
500+ | 41.91 грн |
1000+ | 40.54 грн |
2500+ | 26.05 грн |
5000+ | 20.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT67M8LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT67M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT67M8LSS-13 за ціною від 46.58 грн до 87.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT67M8LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
DMT67M8LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED | DMT67M8LSS-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |