Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT68M8LFV-7
DMT68M8LFV-7

DMT68M8LFV-7 Diodes Incorporated

DMT68M8LFV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.42 грн
4000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT68M8LFV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT68M8LFV-7 за ціною від 18.42 грн до 85.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT68M8LFV-7 DMT68M8LFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT68M8LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.84 грн
10+49.23 грн
100+32.33 грн
500+23.54 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LFV-7 DMT68M8LFV-7 Виробник : Diodes Incorporated diodes inc_diod-s-a0007810738-1.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.61 грн
10+54.17 грн
100+31.18 грн
500+24.23 грн
1000+21.97 грн
2000+18.57 грн
4000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LFV-7 DMT68M8LFV-7 Виробник : Diodes Inc pgurl_dmt68m8lfv-7.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 54.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LFV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT68M8LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43.3A; Idm: 210A; 2.7W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 13.3mΩ
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 43.3A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.