DMT68M8LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 37.95 грн |
| 500+ | 28.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT68M8LPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT68M8LPS-13 за ціною від 18.67 грн до 83.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT68M8LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT68M8LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMT68M8LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 14.1A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
DMT68M8LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMT68M8LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMT68M8LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.2A; Idm: 270A; 2.4W Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 270A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI5060-8 Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC On-state resistance: 10.8mΩ Power dissipation: 2.4W Drain current: 11.2A Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |