Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT68M8LPS-13
DMT68M8LPS-13

DMT68M8LPS-13 Diodes Incorporated

DMT68M8LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.91 грн
5000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT68M8LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 0.0059 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT68M8LPS-13 за ціною від 18.54 грн до 83.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT68M8LPS-13 DMT68M8LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 0.0059 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.49 грн
500+25.75 грн
1000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LPS-13 DMT68M8LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT68M8LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.52 грн
10+43.68 грн
100+30.28 грн
500+23.74 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LPS-13 DMT68M8LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0010705909_1-2543503.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.68 грн
10+51.52 грн
100+31.05 грн
500+25.90 грн
1000+22.07 грн
2500+19.64 грн
5000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LPS-13 DMT68M8LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 0.0059 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.35 грн
16+53.15 грн
100+35.49 грн
500+25.75 грн
1000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LPS-13 Виробник : Diodes Inc dmt68m8lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT68M8LPS.pdf DMT68M8LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.