Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT68M8LSS-13
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13 Diodes Incorporated

DMT68M8LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.78 грн
5000+13.23 грн
7500+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT68M8LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT68M8LSS-13 за ціною від 12.76 грн до 46.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT68M8LSS-13 DMT68M8LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT68M8LSS.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V
на замовлення 9140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.28 грн
10+31.77 грн
100+21.87 грн
500+17.52 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LSS-13 DMT68M8LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT68M8LSS.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.24 грн
11+34.46 грн
100+20.61 грн
500+17.97 грн
1000+16.23 грн
2500+14.95 грн
5000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LSS-13 DMT68M8LSS-13 Виробник : Diodes Inc dmt68m8lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12.1A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LSS-13 DMT68M8LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT68M8LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.7A; Idm: 100A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31.8nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.9W
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.