Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT68M8LSS-13
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13 Diodes Incorporated

DMT68M8LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT68M8LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT68M8LSS-13 за ціною від 13.39 грн до 47.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT68M8LSS-13 DMT68M8LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT68M8LSS.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
10+32.03 грн
100+21.92 грн
500+17.75 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LSS-13 DMT68M8LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003132569_1-2542338.pdf MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 7005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.89 грн
10+40.78 грн
100+24.65 грн
500+19.27 грн
1000+15.67 грн
2500+14.64 грн
10000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LSS-13 DMT68M8LSS-13 Виробник : Diodes Inc dmt68m8lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12.1A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT68M8LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT68M8LSS.pdf DMT68M8LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.