DMT69M5LCG-7 Diodes Incorporated
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 88.74 грн |
| 10+ | 54.13 грн |
| 100+ | 30.84 грн |
| 500+ | 23.84 грн |
| 1000+ | 21.54 грн |
| 2000+ | 18.15 грн |
| 4000+ | 17.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT69M5LCG-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 208A; 2.64W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 11.7A, Pulsed drain current: 208A, Power dissipation: 2.64W, Case: V-DFN3333-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 28.4nC, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DMT69M5LCG-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT69M5LCG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 208A; 2.64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.7A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 2.64W Case: V-DFN3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |