Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT69M5LH3
DMT69M5LH3

DMT69M5LH3 Diodes Incorporated

DMT69M5LH3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO251 TUBE 75PCS
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.01 грн
10+51.44 грн
75+22.50 грн
525+21.10 грн
1050+17.65 грн
5025+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT69M5LH3 Diodes Incorporated

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 60A, Power dissipation: 3.3W, Case: TO251, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 28.4nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 300A, Kind of package: tube.

Інші пропозиції DMT69M5LH3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT69M5LH3 DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 3.3W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M5LH3
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 3.3W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.