Результат пошуку "dmt69m5lh3" : 4
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 544
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMT69M5LH3 | Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 166950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMT69M5LH3 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO251 TUBE 75PCS |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMT69M5LH3 | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 3.3W Case: TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 28.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DMT69M5LH3 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 166950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 544+ | 22.76 грн |
| DMT69M5LH3 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO251 TUBE 75PCS
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO251 TUBE 75PCS
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 84.81 грн |
| 10+ | 55.21 грн |
| 75+ | 24.16 грн |
| 525+ | 22.65 грн |
| 1050+ | 18.95 грн |
| 5025+ | 18.34 грн |
| DMT69M5LH3 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 3.3W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 3.3W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


