Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT8007LPSW-13
DMT8007LPSW-13

DMT8007LPSW-13 Diodes Incorporated

DMT8007LPSW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2682 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.85 грн
5000+26.69 грн
7500+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT8007LPSW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2682 pF @ 40 V.

Інші пропозиції DMT8007LPSW-13 за ціною від 31.02 грн до 113.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT8007LPSW-13 DMT8007LPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT8007LPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2682 pF @ 40 V
на замовлення 10696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.23 грн
10+68.98 грн
100+46.05 грн
500+33.99 грн
1000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8007LPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT8007LPSW-3103834.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.