DMT8008LFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 42.29 грн |
| 4000+ | 37.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT8008LFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.
Інші пропозиції DMT8008LFG-7 за ціною від 35.94 грн до 204.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT8008LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMT8008LFG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V |
на замовлення 5276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMT8008LFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V |
на замовлення 10980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMT8008LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMT8008LFG-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 81.88 грн |
| 500+ | 63.31 грн |
| 1000+ | 53.94 грн |
| DMT8008LFG-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.48 грн |
| 10+ | 88.15 грн |
| 100+ | 51.69 грн |
| 500+ | 41.07 грн |
| 1000+ | 37.84 грн |
| 2000+ | 35.94 грн |
| DMT8008LFG-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.37 грн |
| 10+ | 89.75 грн |
| 100+ | 60.61 грн |
| 500+ | 45.16 грн |
| 1000+ | 41.39 грн |
| DMT8008LFG-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 204.30 грн |
| 10+ | 132.09 грн |
| 100+ | 81.88 грн |
| 500+ | 63.31 грн |
| 1000+ | 53.94 грн |