Продукція > DIODES INC > DMT8012LFG-7
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7 Diodes Inc

dmt8012lfg.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT8012LFG-7 Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V.

Інші пропозиції DMT8012LFG-7 за ціною від 25.37 грн до 95.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT8012LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.20 грн
6000+25.86 грн
10000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT8012LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 36930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.57 грн
10+53.77 грн
100+41.77 грн
500+33.23 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT8012LFG.pdf MOSFETs 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.08 грн
10+63.78 грн
100+42.11 грн
500+35.62 грн
1000+29.05 грн
2000+27.32 грн
4000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT8012LFG.pdf DMT8012LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.