DMT8012LK3-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 44A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 207500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.91 грн |
| 5000+ | 24.59 грн |
| 7500+ | 24.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT8012LK3-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT8012LK3-13 за ціною від 24.28 грн до 72.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT8012LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT8012LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT8012LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT8012LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V |
на замовлення 210863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT8012LK3-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 80V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMT8012LK3-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |