Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT8012LSS-13
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13 Diodes Incorporated

DMT8012LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.75 грн
5000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT8012LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT8012LSS-13 за ціною від 24.38 грн до 101.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT8012LSS-13 DMT8012LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT8012LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.64 грн
10+56.07 грн
100+39.95 грн
500+29.49 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LSS-13 DMT8012LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT8012LSS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.28 грн
10+63.72 грн
100+38.20 грн
500+30.35 грн
1000+28.08 грн
2500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LSS-13 DMT8012LSS-13 Виробник : Diodes Inc 2730dmt8012lss.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LSS-13 DMT8012LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT8012LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.8A; Idm: 80A; 2W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 7.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.