DMT8030LFDF-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.13 грн |
| 500+ | 18.93 грн |
| 1000+ | 17.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT8030LFDF-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT8030LFDF-7 за ціною від 17.12 грн до 22.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT8030LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMT8030LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K |
товару немає в наявності |