Продукція > DIODES INC. > DMT8030LFDF-7
DMT8030LFDF-7

DMT8030LFDF-7 DIODES INC.

3168551.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT8030LFDF-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm.

Інші пропозиції DMT8030LFDF-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT8030LFDF-7 Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8030LFDF-7 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 2.2W; DFN2020-6
Case: DFN2020-6
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8030LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8030LFDF-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 2.2W; DFN2020-6
Case: DFN2020-6
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.