Продукція > DIODES ZETEX > DMTH10H003SPSW-13
DMTH10H003SPSW-13

DMTH10H003SPSW-13 Diodes Zetex

dmth10h003spsw.pdf Виробник: Diodes Zetex
100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H003SPSW-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMTH10H003SPSW-13 за ціною від 67.56 грн до 222.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Виробник : DIODES INC. 3204165.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.89 грн
500+85.27 грн
1000+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Виробник : Diodes Zetex dmth10h003spsw.pdf 100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+137.75 грн
100+102.85 грн
500+87.67 грн
1000+77.55 грн
2500+71.08 грн
5000+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H003SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.08 грн
10+135.96 грн
100+94.19 грн
500+74.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Виробник : DIODES INC. 3204165.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.42 грн
10+147.10 грн
100+102.89 грн
500+85.27 грн
1000+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H003SPSW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.85 грн
10+150.80 грн
100+90.96 грн
500+76.56 грн
2500+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 Виробник : Diodes Inc dmth10h003spsw.pdf MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H003SPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 664A; 2.6W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 664A
Drain current: 117A
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 5mΩ
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI5060-8
Power dissipation: 2.6W
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H003SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H003SPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 117A; Idm: 664A; 2.6W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 664A
Drain current: 117A
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 5mΩ
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI5060-8
Power dissipation: 2.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.