DMTH10H005LCT Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 99.67 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
150 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH10H005LCT Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3688 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMTH10H005LCT за ціною від 75.33 грн до 272.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3688 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH10H005LCT | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; Idm: 150A; 187W; TO220AB Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 187W Gate charge: 114nC Polarisation: unipolar Drain current: 140A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| DMTH10H005LCT |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3688 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3688 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.80 грн |
| 10+ | 146.17 грн |
| 100+ | 116.31 грн |
| DMTH10H005LCT |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; Idm: 150A; 187W; TO220AB
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 114nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; Idm: 150A; 187W; TO220AB
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 114nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 247.97 грн |
| 8+ | 121.32 грн |
| 10+ | 118.84 грн |
| 15+ | 111.41 грн |
| 25+ | 110.59 грн |
| DMTH10H005LCT |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 272.18 грн |
| 10+ | 138.77 грн |
| 100+ | 100.92 грн |
| 500+ | 89.22 грн |
| 1000+ | 83.37 грн |
| 2500+ | 77.52 грн |
| 5000+ | 75.33 грн |