DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 34.7 грн |
500+ | 31.32 грн |
1000+ | 28.84 грн |
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Технічний опис DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH10H009SPSQ-13 за ціною від 28.84 грн до 70.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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DMTH10H009SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH10H009SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 350A; 3.2W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Application: automotive industry Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A On-state resistance: 8.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 350A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
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DMTH10H009SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 350A; 3.2W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Application: automotive industry Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A On-state resistance: 8.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 350A |
товар відсутній |