| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.72 грн |
| 10+ | 101.76 грн |
| 100+ | 78.98 грн |
| 250+ | 64.87 грн |
| 500+ | 56.39 грн |
| 1000+ | 51.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH10H010LCT Diodes Incorporated
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; Idm: 92A; 166W; TO220AB, Pulsed drain current: 92A, Power dissipation: 166W, Gate charge: 58.4nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 108A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: THT.
Інші пропозиції DMTH10H010LCT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB |
на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMTH10H010LCT |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)