Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H010SPS-13
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13 Diodes Incorporated

DMTH10H010SPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.79 грн
5000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H010SPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH10H010SPS-13 за ціною від 29.36 грн до 125.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H010SPS-13 DMTH10H010SPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmth10h010sps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13 DMTH10H010SPS-13 Виробник : DIODES INC. DMTH10H010SPS.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 123 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.94 грн
500+42.36 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13 DMTH10H010SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H010SPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.43 грн
10+68.55 грн
100+41.50 грн
500+35.12 грн
1000+34.51 грн
2500+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13 DMTH10H010SPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004145371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 123 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.23 грн
12+69.79 грн
100+48.58 грн
500+35.08 грн
1000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13 DMTH10H010SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H010SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.02 грн
10+76.40 грн
100+51.43 грн
500+38.21 грн
1000+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H010SPS-13 DMTH10H010SPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmth10h010sps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.