Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H015LPS-13
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13 Diodes Incorporated

DMTH10H015LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.11 грн
5000+25.09 грн
7500+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H015LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMTH10H015LPS-13 за ціною від 25.62 грн до 74.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 Виробник : DIODES INC. DMTH10H015LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.46 грн
500+37.60 грн
1000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H015LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.73 грн
10+51.40 грн
100+39.96 грн
500+31.79 грн
1000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 Виробник : DIODES INC. DMTH10H015LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.11 грн
14+58.81 грн
100+42.46 грн
500+37.60 грн
1000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011397089_1-2543772.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.65 грн
10+60.03 грн
100+37.71 грн
500+30.24 грн
1000+27.89 грн
2500+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H015LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H015LPS.pdf DMTH10H015LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.