DMTH10H015LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 52.8 грн |
| 500+ | 47.16 грн |
| 1000+ | 36.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH10H015LPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Інші пропозиції DMTH10H015LPS-13 за ціною від 26.02 грн до 95.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH10H015LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V |
на замовлення 4717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH10H015LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH10H015LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| DMTH10H015LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 120A; 2.8W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 100V Drain current: 8A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| DMTH10H015LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 120A; 2.8W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 100V Drain current: 8A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |