Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H017LPD-13
DMTH10H017LPD-13

DMTH10H017LPD-13 Diodes Incorporated

DMTH10H017LPD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H017LPD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції DMTH10H017LPD-13 за ціною від 38.51 грн до 103.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH10H017LPD-13 DMTH10H017LPD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691049-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13 DMTH10H017LPD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691049-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13 Diodes Incorporated DMTH10H017LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.80 грн
5000+39.25 грн
12500+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13 Diodes Incorporated DMTH10H017LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
на замовлення 214744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+81.56 грн
100+63.41 грн
500+50.44 грн
1000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13 DIOD-S-A0009691049-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
DMTH10H017LPD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13 DIOD-S-A0009691049-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
DMTH10H017LPD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 59A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13 DMTH10H017LPD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.80 грн
5000+39.25 грн
12500+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPD-13 DMTH10H017LPD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 59A POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
на замовлення 214744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.06 грн
10+81.56 грн
100+63.41 грн
500+50.44 грн
1000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.