Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H017LPDQ-13
DMTH10H017LPDQ-13

DMTH10H017LPDQ-13 Diodes Incorporated

DMTH10H017LPDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.37 грн
5000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H017LPDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W (Ta), 93W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E), Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH10H017LPDQ-13 за ціною від 49.29 грн до 163.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H017LPDQ-13 DMTH10H017LPDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth10h017lpdq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1030000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13 DMTH10H017LPDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H017LPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta), 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type E)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 86435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.15 грн
10+103.11 грн
100+70.61 грн
500+53.62 грн
1000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13 DMTH10H017LPDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth10h017lpdq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13 DMTH10H017LPDQ-13 Виробник : Diodes Inc dmth10h017lpdq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H017LPDQ.pdf DMTH10H017LPDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H017LPDQ-13 DMTH10H017LPDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011098002_1-2543365.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.