Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H025LK3-13
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13 Diodes Incorporated

DMTH10H025LK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.74 грн
5000+19.70 грн
7500+19.31 грн
12500+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H025LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH10H025LK3-13 за ціною від 20.10 грн до 83.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H025LK3-13 DMTH10H025LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005736723_1-2542656.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.23 грн
10+53.07 грн
100+32.00 грн
500+26.70 грн
1000+22.71 грн
2500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3-13 DMTH10H025LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H025LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.21 грн
10+51.78 грн
100+34.62 грн
500+25.39 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H025LK3.pdf DMTH10H025LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.