Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H025LK3Q-13
DMTH10H025LK3Q-13

DMTH10H025LK3Q-13 Diodes Incorporated

DMTH10H025LK3Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.59 грн
5000+28.05 грн
12500+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H025LK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH10H025LK3Q-13 за ціною від 27.82 грн до 109.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H025LK3Q-13 DMTH10H025LK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H025LK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.65 грн
10+58.27 грн
100+45.32 грн
500+36.05 грн
1000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3Q-13 DMTH10H025LK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H025LK3Q-1382399.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.33 грн
10+70.81 грн
100+42.24 грн
500+35.44 грн
1000+31.48 грн
2500+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025LK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H025LK3Q.pdf DMTH10H025LK3Q-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.