Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H025SK3-13
DMTH10H025SK3-13

DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated

DMTH10H025SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.22 грн
5000+17.23 грн
7500+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH10H025SK3-13 за ціною від 15.53 грн до 78.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H025SK3-13 DMTH10H025SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H025SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.14 грн
10+45.73 грн
100+29.90 грн
500+21.66 грн
1000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025SK3-13 DMTH10H025SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H025SK3-1365836.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.82 грн
10+49.15 грн
100+27.94 грн
500+21.62 грн
1000+19.67 грн
2500+18.00 грн
5000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H025SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H025SK3.pdf DMTH10H025SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.