Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H032LPSWQ-13
DMTH10H032LPSWQ-13

DMTH10H032LPSWQ-13 Diodes Incorporated

DMTH10H032LPSWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.84 грн
5000+17.59 грн
7500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H032LPSWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH10H032LPSWQ-13 за ціною від 16.18 грн до 78.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H032LPSWQ-13 DMTH10H032LPSWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H032LPSWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.50 грн
10+47.02 грн
100+30.78 грн
500+22.33 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LPSWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH10H032LPSWQ-3103815.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.74 грн
10+45.73 грн
100+27.14 грн
500+22.64 грн
1000+19.81 грн
2500+16.84 грн
5000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H032LPSWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H032LPSWQ.pdf DMTH10H032LPSWQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.