Продукція > DIODES INC. > DMTH10H1M7STLW-13
DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0013316028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 0.0014 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+231.08 грн
500+198.48 грн
1000+167.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H1M7STLW-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 0.0014 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: PowerDI 1012, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMTH10H1M7STLW-13 за ціною від 167.65 грн до 477.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H1M7STLW-13 DMTH10H1M7STLW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013316028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH10H1M7STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 250 A, 0.0014 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+477.01 грн
10+320.21 грн
100+231.08 грн
500+198.48 грн
1000+167.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H1M7STLW-13 Виробник : Diodes Inc MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.