DMTH10H1M7STLWQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 177.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH10H1M7STLWQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: POWERDI1012-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMTH10H1M7STLWQ-13 за ціною від 160.59 грн до 398.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH10H1M7STLWQ-13 | Diodes Zetex |
Diodes Incorporated offers a portfolio of automotive MOSFETs packaged in the space saving, thermally efficient TOLL (PD1012S) package. |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DMTH10H1M7STLWQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 85113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DMTH10H1M7STLWQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMTH10H1M7STLWQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Diodes Incorporated offers a portfolio of automotive MOSFETs packaged in the space saving, thermally efficient TOLL (PD1012S) package.
Diodes Incorporated offers a portfolio of automotive MOSFETs packaged in the space saving, thermally efficient TOLL (PD1012S) package.
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 228.75 грн |
| DMTH10H1M7STLWQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 85113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 398.41 грн |
| 10+ | 272.30 грн |
| 100+ | 201.24 грн |
| 500+ | 160.59 грн |
| DMTH10H1M7STLWQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)