Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH10H2M5STLWQ-13
DMTH10H2M5STLWQ-13

DMTH10H2M5STLWQ-13 Diodes Incorporated

DMTH10H2M5STLWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+362.66 грн
10+238.71 грн
100+174.11 грн
500+138.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H2M5STLWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: POWERDI1012-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції DMTH10H2M5STLWQ-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH10H2M5STLWQ-13 DMTH10H2M5STLWQ-13 DIODES INC. 3168555.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H2M5STLWQ-13 DMTH10H2M5STLWQ-13 DIODES INC. 3168555.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H2M5STLWQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0012955699_1-2543797.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H2M5STLWQ-13 3168555.pdf
DMTH10H2M5STLWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H2M5STLWQ-13 3168555.pdf
DMTH10H2M5STLWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H2M5STLWQ-13 DIOD_S_A0012955699_1-2543797.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.