DMTH10H2M5STLWQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.00168 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00168ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 218.73 грн |
| 500+ | 187.24 грн |
| 1000+ | 158.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH10H2M5STLWQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.00168 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 248A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 1012, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00168ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH10H2M5STLWQ-13 за ціною від 146.78 грн до 385.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH10H2M5STLWQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.00168 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.8W Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00168ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH10H2M5STLWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMTH10H2M5STLWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DMTH10H2M5STLWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |