DMTH10H4M5LPS-13

DMTH10H4M5LPS-13 Diodes Incorporated


DMTH10H4M5LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH10H4M5LPS-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 400A; 2.7W, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 80nC, On-state resistance: 6.2mΩ, Power dissipation: 2.7W, Drain current: 14A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 400A, Kind of package: 13 inch reel; tape, Case: PowerDI5060-8.

Інші пропозиції DMTH10H4M5LPS-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H4M5LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH10H4M5LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 400A; 2.7W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.