Продукція > DIODES INC > DMTH12H007SK3-13

DMTH12H007SK3-13 Diodes Inc


DMTH12H007SK3.pdf Виробник: Diodes Inc
MOSFET BVDSS: 101V250V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH12H007SK3-13 Diodes Inc

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 60 V.

Інші пропозиції DMTH12H007SK3-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH12H007SK3-13 DMTH12H007SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH12H007SK3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH12H007SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH12H007SK3-3002948.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.