Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH15H017LPSWQ-13
DMTH15H017LPSWQ-13

DMTH15H017LPSWQ-13 Diodes Incorporated

DMTH15H017LPSWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH15H017LPSWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH15H017LPSWQ-13 за ціною від 53.95 грн до 144.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH15H017LPSWQ-13 DMTH15H017LPSWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.06 грн
10+100.77 грн
100+71.60 грн
500+58.84 грн
1000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017LPSWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ-3103770.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.11 грн
10+118.95 грн
100+82.60 грн
250+75.90 грн
500+68.54 грн
1000+62.06 грн
2500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH15H017LPSWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH15H017LPSWQ.pdf DMTH15H017LPSWQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.