DMTH3002LK3-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH3002LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1950 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 37.38 грн |
| 500+ | 34.64 грн |
| 1000+ | 31.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH3002LK3-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH3002LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1950 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMTH3002LK3-13 за ціною від 31.90 грн до 41.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH3002LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH3002LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1950 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMTH3002LK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMTH3002LK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |