DMTH3004LFGQ-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 250A; 2.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH3004LFGQ-7 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 250A; 2.5W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 250A, Power dissipation: 2.5W, Gate charge: 44nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 10A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Case: PowerDI3333-8, On-state resistance: 8.5mΩ, Gate-source voltage: ±16V, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції DMTH3004LFGQ-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH3004LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
товар відсутній |
|
| DMTH3004LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
товар відсутній |
||
| DMTH3004LFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 250A; 2.5W Mounting: SMD Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 44nC Polarisation: unipolar Drain current: 10A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: PowerDI3333-8 On-state resistance: 8.5mΩ Gate-source voltage: ±16V |
товар відсутній |