Продукція > DIODES INC. > DMTH31M7LPSQ-13
DMTH31M7LPSQ-13

DMTH31M7LPSQ-13 DIODES INC.

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.45 грн
500+42.12 грн
1000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH31M7LPSQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMTH31M7LPSQ-13 за ціною від 38.81 грн до 45.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH31M7LPSQ-13 DMTH31M7LPSQ-13 Виробник : DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.53 грн
100+45.45 грн
500+42.12 грн
1000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH31M7LPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH31M7LPSQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.