DMTH31M7LPSQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 93.12 грн |
| 10+ | 81.01 грн |
| 100+ | 67.38 грн |
| 500+ | 56.03 грн |
| 1000+ | 47.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH31M7LPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm.
Інші пропозиції DMTH31M7LPSQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH31M7LPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED | DMTH31M7LPSQ-13 SMD N channel transistors |
товар відсутній |