Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH32M5LPSQ-13
DMTH32M5LPSQ-13

DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated

DMTH32M5LPSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMTH32M5LPSQ-13 за ціною від 32.74 грн до 94.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth32m5lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth32m5lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.43 грн
500+41.38 грн
1000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH32M5LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+69.89 грн
100+48.96 грн
500+38.72 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.61 грн
11+75.10 грн
100+58.43 грн
500+41.38 грн
1000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005045143_1-2542767.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.41 грн
10+75.38 грн
100+45.91 грн
500+37.08 грн
1000+34.28 грн
2500+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth32m5lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH32M5LPSQ.pdf DMTH32M5LPSQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.