Продукція > DIODES INC. > DMTH32M5LPSQ-13
DMTH32M5LPSQ-13

DMTH32M5LPSQ-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.37 грн
500+ 44.12 грн
1000+ 39.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH32M5LPSQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMTH32M5LPSQ-13 за ціною від 39.38 грн до 101 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0016 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+94.13 грн
10+ 79.19 грн
100+ 57.37 грн
500+ 44.12 грн
1000+ 39.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005045143_1-2542767.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101 грн
10+ 89.6 грн
100+ 60.73 грн
500+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH32M5LPSQ-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
товар відсутній