DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMTH32M5LPSQ-13 за ціною від 27.84 грн до 124.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH32M5LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH32M5LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH32M5LPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH32M5LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH32M5LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 107371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH32M5LPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH32M5LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 170A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMTH32M5LPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 3.2W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 350A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry |
товару немає в наявності |